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三星研发8nm工艺的LPDDR5内存速率升至73Gbps

来源: 作者: 2019-11-10 02:15:24

作为全球内存芯片厂商之一,三星在VLSI 2019大会上公布了基于8nm工艺的LpDDR5 phy物理层芯片,一举将速率提升到了7.3Gbps,而且功耗只有790mW。除此之外,三星还在继续提升LpDDR4X内存的速率,目前LpDDR4X-4266Mbps内存已有了,三星的目标是5Gbps的LpDDR4X内存。

三星研发8nm工艺的LPDDR5内存速率升至73Gbps

去年7月,三星就宣布成功开发出业内首款LpDDR5-6400内存芯片,基于10nm级工艺,单颗容量8Gb(1GB)。而在去年10月的在港举行的高通4G/5G峰会上,三星人士泄漏,LpDDR5内存计划2020年商用。

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